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压力传感器的发展历程分为四个阶段
日期:2013年08月02日  文章点击数:

(1) 发明阶段(1945 - 1960 年) :这个阶段主要是以1947 年双极性晶体管的发明为标志。此后,半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯(C.S. Smith) 与1945 发现?#26031;?#19982;锗的压阻效应[2 ] ,即当有外力作用于半导体材料时,其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上,即将力信号转化为电信号进行测量。此阶段最小尺寸大约为1cm。
 
(2) 技术发展阶段(1960 - 1970 年) :随着硅扩散技术的发展,技术人员在硅的(001) 或(110) 晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成较薄的硅弹性膜片,称为硅杯[3 ] 。这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点,实现了金属- 硅共晶体,为商业化发展提供了可能。
 
(3) 商业化集成加工阶段(1970 - 1980 年) :在硅杯扩散理论的基础上应用?#26031;?#30340;各向异性的腐蚀技术,扩散硅传感器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主,发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术[4 ] ,主要有V 形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。由于可以在多个表面同时进行腐蚀,数千个硅压力膜可以同时生产,实现了集成化的工厂加工模式,成本进一步降低。
 
(4) 微机?#23548;?#24037;阶段(1980 年- 今) :上世纪末出现的纳米技术,使得微机?#23548;?#24037;工艺成为可能。通过微机?#23548;?#24037;工艺可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器,其线度可以控制在微米级?#27573;?#20869;。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜,使得压力传感器进入了微米阶段。

    沈阳海泰仪表工业有限公司是专业从事各种压力传感器压力变送器、数字压力表、汽车油耗监控的设计、开发、生产和销售的高新技术企业。是通过辽宁省软件生产企业、软件产品认证的“双认证”企业、是沈阳市高新技术企业。网址:www.ydljt.tw

 

 

 
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